SFP9640L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFP9640L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SFP9640L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP9640L даташит

 ..1. Size:222K  fairchild semi
 sfp9640l.pdf pdf_icon

SFP9640L

SFP9640L Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitances ID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 Lower Leakage Current -10uA (Max.) @ VDS= -200V Lower RDS(ON) 0.383 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maxim

 7.1. Size:502K  samsung
 sfp9640.pdf pdf_icon

SFP9640L

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current -10 A (Max.) @ VDS = -200V Low RDS(ON) 0.344 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

 8.1. Size:500K  samsung
 sfp9644.pdf pdf_icon

SFP9640L

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -8.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current -10 A (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) 0.549 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

 9.1. Size:503K  samsung
 sfp9614.pdf pdf_icon

SFP9640L

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1. 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current -10 A (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) 3.5 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFP70N06, SFP730, SFP730D, SFP740, SFP75N08R, SFP830, SFP830D, SFP840, AON7403, SFP9N50, SFR9014TF, SFR9024TM, SFR9034TF, SFR9110TF, SFT1452, SFT210DE, SFT6661