Справочник MOSFET. IRFSZ40

 

IRFSZ40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFSZ40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSZ40 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:1018K  samsung
irfsz44a.pdfpdf_icon

IRFSZ40

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

 9.1. Size:280K  1
irfsz14a.pdfpdf_icon

IRFSZ40

 9.2. Size:1006K  samsung
irfsz24a.pdfpdf_icon

IRFSZ40

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

Другие MOSFET... IRFSZ24 , IRFSZ24A , IRFSZ25 , IRFSZ30 , IRFSZ32 , IRFSZ34 , IRFSZ34A , IRFSZ35 , P60NF06 , IRFSZ42 , IRFSZ44 , IRFSZ44A , IRFSZ45 , IRFU010 , IRFU012 , IRFU014 , IRFU014A .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.