IRFSZ42 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFSZ42
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRFSZ42
IRFSZ42 Datasheet (PDF)
irfsz44a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C
irfsz24a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch
Другие MOSFET... IRFSZ24A , IRFSZ25 , IRFSZ30 , IRFSZ32 , IRFSZ34 , IRFSZ34A , IRFSZ35 , IRFSZ40 , IRF530 , IRFSZ44 , IRFSZ44A , IRFSZ45 , IRFU010 , IRFU012 , IRFU014 , IRFU014A , IRFU015 .
History: IPAN60R280PFD7S | IPP60R750E6 | IRFS9540 | IPAN60R210PFD7S
History: IPAN60R280PFD7S | IPP60R750E6 | IRFS9540 | IPAN60R210PFD7S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222







