IRFSZ42 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFSZ42
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFSZ42 Datasheet (PDF)
irfsz44a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C
irfsz24a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch
Другие MOSFET... IRFSZ24A , IRFSZ25 , IRFSZ30 , IRFSZ32 , IRFSZ34 , IRFSZ34A , IRFSZ35 , IRFSZ40 , IRF530 , IRFSZ44 , IRFSZ44A , IRFSZ45 , IRFU010 , IRFU012 , IRFU014 , IRFU014A , IRFU015 .
History: PSMN1R0-40YLD | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | SSF65R420S2
History: PSMN1R0-40YLD | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | SSF65R420S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222