SQM110N05-06L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQM110N05-06L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SQM110N05-06L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQM110N05-06L даташит

 ..1. Size:710K  vishay
 sqm110n05-06l.pdf pdf_icon

SQM110N05-06L

 6.1. Size:104K  vishay
 sqm110n06-04l.pdf pdf_icon

SQM110N05-06L

SQM110N06-04L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0035 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0050 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 120 100 % Rg and UIS T

 6.2. Size:168K  vishay
 sqm110n04-03.pdf pdf_icon

SQM110N05-06L

SQM110N04-03 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 40 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0028 Package with Low Thermal Resistance ID (A) 120 AEC-Q101 qualifiedd Configuration Single 100 % Rg and UIS Tested Compl

 6.3. Size:169K  vishay
 sqm110n06-06.pdf pdf_icon

SQM110N05-06L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFW9Z34TM, SQM100N04-2M7, SQM100N04-3M5, SQM100N10-10, SQM110N04-02L, SQM110N04-03, SQM110N04-03L, SQM110N04-04, IRFP460, SQM110N06-04L, SQM110N06-06, SQM110N08-05, SQM110N10-09, SQM110P04-04L, SQM110P06-07L, SQM110P06-8M9L, SQM120N02-1M3L