SQM110P06-07L datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SQM110P06-07L 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1034 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SQM110P06-07L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SQM110P06-07L даташит
sqm110p06-07l.pdf
SQM110P06-07L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0067 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0088 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 120 Material categorization For definitio
sqm110p06-8m9l.pdf
SQM110P06-8m9L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0089 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0132 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 110 Material categorization Configuratio
sqm110p04-04l.pdf
SQM110P04-04L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0040 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0060 Package with Low Thermal Resistance ID (A) - 120 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration
sqm110n06-04l.pdf
SQM110N06-04L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0035 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0050 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 120 100 % Rg and UIS T
Другие IGBT... SQM110N04-03L, SQM110N04-04, SQM110N05-06L, SQM110N06-04L, SQM110N06-06, SQM110N08-05, SQM110N10-09, SQM110P04-04L, IRF640N, SQM110P06-8M9L, SQM120N02-1M3L, SQM120N03-1M5L, SQM120N04-02L, SQM120N04-03, SQM120N04-03L, SQM120N04-04, SQM120N04-1M7
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b













