SQM120N04-02L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQM120N04-02L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 165 nC
trⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1257 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SQM120N04-02L
SQM120N04-02L Datasheet (PDF)
sqm120n04-02l.pdf
SQM120N04-02Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0023 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0041 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 120 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single
sqm120n04-04.pdf
SQM120N04-04www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0035 TrenchFET Power MOSFETID (A) 120 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 QualifieddD 100 % Rg and UIS Tested Co
sqm120n04-03l.pdf
SQM120N04-03Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0035 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0053 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 120 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single
sqm120n04-03.pdf
SQM120N04-03www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0028 TrenchFET Power MOSFETID (A) 120 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 qualifiedd 100 % Rg and UIS TestedD Co
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918