IRFSZ44A - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFSZ44A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFSZ44A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFSZ44A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSZ44A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1018K  samsung
 irfsz44a.pdf pdf_icon

IRFSZ44A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

 7.1. Size:42K  1
 irfsz20 irfsz24 irfsz30 irfsz34 irfsz40 irfsz44.pdf pdf_icon

IRFSZ44A

 9.1. Size:280K  1
 irfsz14a.pdf pdf_icon

IRFSZ44A

 9.2. Size:1006K  samsung
 irfsz24a.pdf pdf_icon

IRFSZ44A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFSZ30 , IRFSZ32 , IRFSZ34 , IRFSZ34A , IRFSZ35 , IRFSZ40 , IRFSZ42 , IRFSZ44 , NCEP15T14 , IRFSZ45 , IRFU010 , IRFU012 , IRFU014 , IRFU014A , IRFU015 , IRFU020 , IRFU022 .

History: IPAN60R280PFD7S | IRFS9540 | IPAN60R210PFD7S

 

 
Back to Top

 


 
.