Справочник MOSFET. IRFSZ44A

 

IRFSZ44A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFSZ44A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSZ44A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1018K  samsung
 irfsz44a.pdf pdf_icon

IRFSZ44A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol C

 7.1. Size:42K  1
 irfsz20 irfsz24 irfsz30 irfsz34 irfsz40 irfsz44.pdf pdf_icon

IRFSZ44A

 9.1. Size:280K  1
 irfsz14a.pdf pdf_icon

IRFSZ44A

 9.2. Size:1006K  samsung
 irfsz24a.pdf pdf_icon

IRFSZ44A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFSZ30 , IRFSZ32 , IRFSZ34 , IRFSZ34A , IRFSZ35 , IRFSZ40 , IRFSZ42 , IRFSZ44 , STP80NF70 , IRFSZ45 , IRFU010 , IRFU012 , IRFU014 , IRFU014A , IRFU015 , IRFU020 , IRFU022 .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.