SQM47N10-24L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SQM47N10-24L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 321 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SQM47N10-24L
SQM47N10-24L Datasheet (PDF)
sqm47n10-24l.pdf

SQM47N10-24Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.024 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.027 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 47 AEC-Q101 QualifiedcConfiguration Single
Другие MOSFET... SQM200N04-1M1L , SQM200N04-1M7L , SQM200N04-1M8 , SQM25N15-52 , SQM35N30-97 , SQM40N10-30 , SQM40N15-38 , SQM40P10-40L , RFP50N06 , SQM50020EL , SQM50N04-4M0L , SQM50N04-4M1 , SQM50N04-5M0 , SQM50P03-07 , SQM50P04-09L , SQM50P06-15L , SQM50P08-25L .
History: SL4N150B | CJ3415 | AP6P064J | GSM6830 | SIL2301 | SFF25P20S2I-02 | DHF10H035R
History: SL4N150B | CJ3415 | AP6P064J | GSM6830 | SIL2301 | SFF25P20S2I-02 | DHF10H035R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor