SQM50020EL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SQM50020EL 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5750 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SQM50020EL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SQM50020EL даташит
sqm50020el.pdf
SQM50020EL www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0020 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0025 100 % Rg and UIS tested ID (A) 120 Configuration Single Material categorization for d
sqm50028em.pdf
SQM50028EM www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES TO-263 7-Lead TrenchFET power MOSFET Package with low thermal resistance 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified Material categorization for definitions of compliance please see S S D D www.vishay.com/doc?99912 G G D Top View PRODUCT SUMMARY VDS (V) 6
sqm50p08-25l.pdf
SQM50P08-25L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 80 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.031 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration
sqm50p06-15l.pdf
SQM50P06-15L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.015 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.022 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration
Другие IGBT... SQM200N04-1M7L, SQM200N04-1M8, SQM25N15-52, SQM35N30-97, SQM40N10-30, SQM40N15-38, SQM40P10-40L, SQM47N10-24L, 12N60, SQM50N04-4M0L, SQM50N04-4M1, SQM50N04-5M0, SQM50P03-07, SQM50P04-09L, SQM50P06-15L, SQM50P08-25L, SQM60N06-15
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet









