SQM50P06-15L datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SQM50P06-15L 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-263
📄📄 Копировать ⓘ
Аналог (замена) для SQM50P06-15L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SQM50P06-15L даташит
sqm50p06-15l.pdf
SQM50P06-15L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.015 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.022 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration
sqm50p08-25l.pdf
SQM50P08-25L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 80 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.031 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration
sqm50p03-07.pdf
SQM50P03-07 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0070 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0110 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuration
sqm50p04-09l.pdf
SQM50P04-09L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0094 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0170 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 50 Material categorization Configuratio
Другие IGBT... SQM40P10-40L, SQM47N10-24L, SQM50020EL, SQM50N04-4M0L, SQM50N04-4M1, SQM50N04-5M0, SQM50P03-07, SQM50P04-09L, CS150N03A8, SQM50P08-25L, SQM60N06-15, SQM60N20-35, SQM85N03-06P, SQM85N10-10, SQM85N15-19, SQP100P06-9M3L, SQP120N06-06
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet




