SSF22A5E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSF22A5E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.238 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SC-89

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SSF22A5E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF22A5E даташит

 ..1. Size:935K  goodark
 ssf22a5e.pdf pdf_icon

SSF22A5E

SSF22A5E 20V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 3 ID 238mA Pin Assignment Schematic Diagram Features and Benefits Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Lead free product 150 operating temperature Description It utilizes the latest trench processing techniques to a

 9.1. Size:214K  1
 ssf22n50a.pdf pdf_icon

SSF22A5E

Другие IGBT... SQP50N06-09L, SQP50P03-07, SQP60N06-15, SQP90P06-07L, SQR40N10-25, SQR50N03-06P, SQR50N04-3M8, SQR50N06-07L, IRF520, SSF2418B, SSF2418EBK, SSF2439E, SSF2641S, SSF2816EBK, SSF2N60D1, SSF3612E, R9523