Справочник MOSFET. SSF2N60D1

 

SSF2N60D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF2N60D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SSF2N60D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF2N60D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:923K  goodark
 ssf2n60d1.pdf pdf_icon

SSF2N60D1

SSF2N60D1 600V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.9 (typ.) ID 2A TO-252 Marking and Pin S c he mati c Diag r a m Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and re

 6.1. Size:496K  silikron
 ssf2n60d.pdf pdf_icon

SSF2N60D1

SSF2N60D Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 3.8 (typ.) ID 2A Marking and P in S che ma ti c Diag r am TO-252 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 6.2. Size:461K  silikron
 ssf2n60d2.pdf pdf_icon

SSF2N60D1

SSF2N60D2 Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 3.7 (typ.) ID 2A TO-252 Marking a nd pin Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:428K  silikron
 ssf2n60.pdf pdf_icon

SSF2N60D1

SSF2N60Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 3.6ohm(typ.)ID 2ATO220Marking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150 operating temper

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQR50N04-3M8 , SQR50N06-07L , SSF22A5E , SSF2418B , SSF2418EBK , SSF2439E , SSF2641S , SSF2816EBK , AO3401 , SSF3612E , R9523 , SSF440M , SSF450M , SSF5508D , SSF5510G , SSF6010G , SSF7008 .

History: IRFS31N20DP | FDME430NT

 

 
Back to Top

 


 
.