TK14C65W5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK14C65W5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK14C65W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK14C65W5 даташит

 ..1. Size:237K  toshiba
 tk14c65w5.pdf pdf_icon

TK14C65W5

TK14C65W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK14C65W5 TK14C65W5 TK14C65W5 TK14C65W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Struc

 6.1. Size:241K  toshiba
 tk14c65w.pdf pdf_icon

TK14C65W5

TK14C65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK14C65W TK14C65W TK14C65W TK14C65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.22 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

Другие IGBT... TK12E60W, TK12J60W, TK12P60W, TK12Q60W, TK12V60W, TK14A65W, TK14A65W5, TK14C65W, 10N60, TK14E65W, TK14E65W5, TK14G65W, TK14G65W5, TK14N65W, TK14N65W5, TK14V65W, TK15S04N1L