Справочник MOSFET. TK14V65W

 

TK14V65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK14V65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для TK14V65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK14V65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  toshiba
 tk14v65w.pdf pdf_icon

TK14V65W

TK14V65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK14V65WTK14V65WTK14V65WTK14V65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhan

Другие MOSFET... TK14C65W , TK14C65W5 , TK14E65W , TK14E65W5 , TK14G65W , TK14G65W5 , TK14N65W , TK14N65W5 , AON7408 , TK15S04N1L , TK160F10N1 , TK16A60W , TK16A60W5 , TK16C60W , TK16E60W , TK16E60W5 , TK16G60W .

History: STD3NK50Z-1

 

 
Back to Top

 


 
.