TK16A60W5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK16A60W5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK16A60W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16A60W5 даташит

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk16a60w5.pdf pdf_icon

TK16A60W5

TK16A60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16A60W5 TK16A60W5 TK16A60W5 TK16A60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by using Super Junction Struc

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk16a60w5.pdf pdf_icon

TK16A60W5

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK16A60W5,ITK16A60W5 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 3.0 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID=0.79 mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Re

 6.1. Size:240K  toshiba
 tk16a60w.pdf pdf_icon

TK16A60W5

TK16A60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16A60W TK16A60W TK16A60W TK16A60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 6.2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk16a60w.pdf pdf_icon

TK16A60W5

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK16A60W, ITK16A60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.79 mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regul

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK14G65W, TK14G65W5, TK14N65W, TK14N65W5, TK14V65W, TK15S04N1L, TK160F10N1, TK16A60W, 2SK3878, TK16C60W, TK16E60W, TK16E60W5, TK16G60W, TK16G60W5, TK16J60W, TK16J60W5, TK16N60W