TK16N60W5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK16N60W5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK16N60W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16N60W5 даташит

 ..1. Size:246K  toshiba
 tk16n60w5.pdf pdf_icon

TK16N60W5

TK16N60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16N60W5 TK16N60W5 TK16N60W5 TK16N60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 6.1. Size:249K  toshiba
 tk16n60w.pdf pdf_icon

TK16N60W5

TK16N60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16N60W TK16N60W TK16N60W TK16N60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 9.1. Size:178K  st
 stk16n10l.pdf pdf_icon

TK16N60W5

Другие IGBT... TK16C60W, TK16E60W, TK16E60W5, TK16G60W, TK16G60W5, TK16J60W, TK16J60W5, TK16N60W, 4435, TK16V60W, TK16V60W5, TK17A80W, TK17C65W, TK17E65W, TK17N65W, TK17V65W, TK18E10K3