TK17E65W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK17E65W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK17E65W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17E65W даташит

 ..1. Size:250K  toshiba
 tk17e65w.pdf pdf_icon

TK17E65W

TK17E65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17E65W TK17E65W TK17E65W TK17E65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.17 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk17e65w.pdf pdf_icon

TK17E65W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK17E65W ITK17E65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.2 . Enhancement mode Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.9mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 9.1. Size:418K  toshiba
 tk17e80w.pdf pdf_icon

TK17E65W

TK17E80W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17E80W TK17E80W TK17E80W TK17E80W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhan

 9.2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk17e80w.pdf pdf_icon

TK17E65W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK17E80W ITK17E80W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.29 . Enhancement mode Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.85mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK16J60W, TK16J60W5, TK16N60W, TK16N60W5, TK16V60W, TK16V60W5, TK17A80W, TK17C65W, AON7410, TK17N65W, TK17V65W, TK18E10K3, TK200F04N1L, TK20A60W, TK20A60W5, TK20C60W, TK20E60W