Справочник MOSFET. TK17E65W

 

TK17E65W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK17E65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TK17E65W

 

 

TK17E65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  toshiba
 tk17e65w.pdf

TK17E65W TK17E65W

TK17E65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17E65WTK17E65WTK17E65WTK17E65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.17 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk17e65w.pdf

TK17E65W TK17E65W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK17E65WITK17E65WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.2.Enhancement mode:Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.9mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 9.1. Size:418K  toshiba
 tk17e80w.pdf

TK17E65W TK17E65W

TK17E80WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17E80WTK17E80WTK17E80WTK17E80W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhan

 9.2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk17e80w.pdf

TK17E65W TK17E65W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK17E80WITK17E80WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.29.Enhancement mode:Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.85mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top