Справочник MOSFET. TK20E60W

 

TK20E60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK20E60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20E60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  toshiba
tk20e60w.pdfpdf_icon

TK20E60W

TK20E60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20E60WTK20E60WTK20E60WTK20E60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 0.1. Size:243K  toshiba
tk20e60w5.pdfpdf_icon

TK20E60W

TK20E60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20E60W5TK20E60W5TK20E60W5TK20E60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 110 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.15 (typ.) by used to Super Junction Str

 7.1. Size:271K  toshiba
tk20e60u.pdfpdf_icon

TK20E60W

TK20E60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20E60UTK20E60UTK20E60UTK20E60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.165 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 12 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

 7.2. Size:246K  inchange semiconductor
tk20e60u.pdfpdf_icon

TK20E60W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK20E60UITK20E60UFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.19.Enhancement mode:Vth =3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FIR10N50FG | AOD4T60 | 2SJ76 | STF140N8F7 | VSO008N10MS | AUIRF6218L | HSS2306A

 

 
Back to Top

 


 
.