TK20J60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK20J60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK20J60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20J60W даташит

 ..1. Size:242K  toshiba
 tk20j60w.pdf pdf_icon

TK20J60W

TK20J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20J60W TK20J60W TK20J60W TK20J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 0.1. Size:239K  toshiba
 tk20j60w5.pdf pdf_icon

TK20J60W

TK20J60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20J60W5 TK20J60W5 TK20J60W5 TK20J60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.15 (typ.) by used to Super Junction Str

 7.1. Size:152K  toshiba
 tk20j60t.pdf pdf_icon

TK20J60W

TK20J60T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK20J60T Switching Regulator Applications Unit mm 3.2 0.2 15.9max. Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.165 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V (VD

 7.2. Size:192K  toshiba
 tk20j60u.pdf pdf_icon

TK20J60W

TK20J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK20J60U Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.165 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 3.0 to 5.0 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK18E10K3, TK200F04N1L, TK20A60W, TK20A60W5, TK20C60W, TK20E60W, TK20E60W5, TK20G60W, IRFP450, TK20J60W5, TK20N60W, TK20N60W5, TK20V60W, TK20V60W5, TK22A10N1, TK22E10N1, TK25A60X