IRFU111. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFU111

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IRFU111

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU111 даташит

 ..1. Size:282K  samsung
 irfr111 irfu111.pdf pdf_icon

IRFU111

 8.1. Size:282K  1
 irfr110 irfu110.pdf pdf_icon

IRFU111

 8.2. Size:1868K  international rectifier
 irfr110pbf irfu110pbf.pdf pdf_icon

IRFU111

PD - 95026A IRFR110PbF IRFU110PbF Lead-Free 12/14/04 Document Number 91265 www.vishay.com 1 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 2 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 3 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 4 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 5 IRFR/U110PbF Document Number 91265 www.vishay.com 6 IRFR/U1

 8.3. Size:255K  fairchild semi
 irfr110a irfu110a.pdf pdf_icon

IRFU111

IRFR/U110A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.289 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maxim

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFU015, IRFU020, IRFU022, IRFU024A, IRFU024N, IRFU025, IRFU110, IRFU110A, SI2302, IRFU120, IRFU1205, IRFU120A, IRFU120N, IRFU121, IRFU130A, IRFU210, IRFU210A