Справочник MOSFET. TK39J60W5

 

TK39J60W5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK39J60W5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для TK39J60W5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK39J60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk39j60w5.pdf pdf_icon

TK39J60W5

TK39J60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK39J60W5TK39J60W5TK39J60W5TK39J60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 150 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.062 (typ.) by using Super Junction Stru

 6.1. Size:240K  toshiba
 tk39j60w.pdf pdf_icon

TK39J60W5

TK39J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK39J60WTK39J60WTK39J60WTK39J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.055 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

Другие MOSFET... TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 , TK35N65W , TK35N65W5 , TK39A60W , TK39J60W , 20N60 , TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X , TK3P80E , TK40A06N1 , TK40E06N1 , TK40S06N1L , TK42A12N1 .

History: SDF130JDA-S | BUK6217-55C | AOT14N50FD | SVG063R5NL5 | 2SK3775-01 | AP9578GH-HF | AP20N15GH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.