TK50S04K3L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK50S04K3L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 42 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 435 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0054 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TK50S04K3L
TK50S04K3L Datasheet (PDF)
..1. Size:234K toshiba
tk50s04k3l.pdf
tk50s04k3l.pdf
TK50S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK50S04K3LTK50S04K3LTK50S04K3LTK50S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.3 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
