Справочник MOSFET. TK50S04K3L

 

TK50S04K3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK50S04K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK50S04K3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50S04K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  toshiba
 tk50s04k3l.pdf pdf_icon

TK50S04K3L

TK50S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK50S04K3LTK50S04K3LTK50S04K3LTK50S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.3 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low

Другие MOSFET... TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , IRF9540 , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W .

History: AUIRFR2607ZTR | BRS1N60 | FDP8N50NZU | SM6A22NSU | IPAW70R600CE | SWB076R68E7T | QM8014D

 

 
Back to Top

 


 
.