TK50S04K3L - описание и поиск аналогов

 

TK50S04K3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK50S04K3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK50S04K3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50S04K3L даташит

 ..1. Size:234K  toshiba
 tk50s04k3l.pdf pdf_icon

TK50S04K3L

TK50S04K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK50S04K3L TK50S04K3L TK50S04K3L TK50S04K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.3 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low

Другие MOSFET... TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , 2N7000 , TK55S10N1 , TK56A12N1 , TK56E12N1 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.