TK70J04K3Z. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK70J04K3Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
Аналог (замена) для TK70J04K3Z
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TK70J04K3Z даташит
tk70j04k3z.pdf
TK70J04K3Z MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK70J04K3Z TK70J04K3Z TK70J04K3Z TK70J04K3Z 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current
tk70j04j3.pdf
TK70J04J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK70J04J3 Motor Drive Application Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 3.0 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 120 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 40 V) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ra
tk70j06k3.pdf
TK70J06K3 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK70J06K3 TK70J06K3 TK70J06K3 TK70J06K3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS
tk70j20d.pdf
TK70J20D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK70J20D TK70J20D TK70J20D TK70J20D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.02 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 200 V) (3) Enhancement mode Vth =
Другие MOSFET... TK65S04N1L , TK6A60W , TK6A65W , TK6A80E , TK6P60W , TK6P65W , TK6Q60W , TK6Q65W , CS150N03A8 , TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 , TK72E12N1 , TK7A60W , TK7A60W5 , TK7A65W , TK7A90E .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor




