Справочник MOSFET. TMAN11N90Z

 

TMAN11N90Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN11N90Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN11N90Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN11N90Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN11N90Z

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

 5.1. Size:508K  trinnotech
 tman11n90az.pdf pdf_icon

TMAN11N90Z

TMAN11N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A

 9.1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN11N90Z

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.2. Size:493K  trinnotech
 tman10n80.pdf pdf_icon

TMAN11N90Z

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , IRF1405 , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 .

History: WMS12P03T1 | RUH60100M

 

 
Back to Top

 


 
.