TMAN11N90Z - описание и поиск аналогов

 

TMAN11N90Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMAN11N90Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для TMAN11N90Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN11N90Z даташит

 ..1. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN11N90Z

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

 5.1. Size:508K  trinnotech
 tman11n90az.pdf pdf_icon

TMAN11N90Z

TMAN11N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A

 9.1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN11N90Z

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.2. Size:493K  trinnotech
 tman10n80.pdf pdf_icon

TMAN11N90Z

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , IRF830 , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 .

History: SSC8033GS6 | 2SK1915 | 2SK596S-B | CS120N08A8 | SM3335PSQG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.