Справочник MOSFET. TMD4N60

 

TMD4N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TMD4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 92.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 30 ns

Выходная емкость (Cd): 53 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.55 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TMD4N60

 

 

TMD4N60 Datasheet (PDF)

1.1. tmd4n60.pdf Size:317K _upd-mosfet

TMD4N60
TMD4N60

TMD4N60/TMU4N60 TMD4N60G/TMU4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A  Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD4N60/TMU4N60 D-PAK/I-PAK TMD4N60/TMU4N60 RoHS TMD4N60G/TMU4N60G D-PAK/I-PAK

1.2. tmd4n60az.pdf Size:464K _upd-mosfet

TMD4N60
TMD4N60

TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) N-channel MOSFET Features  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 600V 4.0A < 2.5W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD4N60AZ / TMU4N60AZ D-PAK/I-PAK TMD4N60AZ / TMU4N60AZ RoHS TMD4N

 4.1. tmd4n65az.pdf Size:453K _upd-mosfet

TMD4N60
TMD4N60

TMD4N65AZ(G)/TMU4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 650V 4.0A < 2.4W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD4N65AZ / TMU4N65AZ D-PAK/I-PAK TMD4N65AZ / TMU4N65AZ RoHS TMD

4.2. tmd4n65z.pdf Size:475K _upd-mosfet

TMD4N60
TMD4N60

TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)  Low gate charge 650V 4A <2.4W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD4N65Z / TMU4N65Z TO-220 / TO-220F TMD4N65Z / TMU4N65Z RoHS TMD4N65ZG / TMU4N65ZG TO-220 / TO-220F

Другие MOSFET... TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ , TMD3N50Z , TMD3N80G , TMD3N90 , IRFZ46N , TMD4N60AZ , TMD4N65AZ , TMD4N65Z , TMD5N40ZG , TMD5N50 , TMD5N50G , TMD5N60AZ , TMD5N60Z .

Back to Top

 


TMD4N60
  TMD4N60
  TMD4N60
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: SIHF22N60S | SIHF22N60E | SIHF18N50D | SIHF18N50C | SIHF16N50C | SIHF15N65E | SIHF15N60E | SIHF12N65E | SIHF12N60E | SIHF12N50C | SIHF10N40D | SIHD7N60E | SIHD6N65E | SIHD6N62E | SIHD5N50D |
 


 

 

Back to Top