Справочник MOSFET. TMD5N50G

 

TMD5N50G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TMD5N50G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 92.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 32 ns

Выходная емкость (Cd): 61 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.65 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TMD5N50G

 

 

TMD5N50G Datasheet (PDF)

1.1. tmd5n50g.pdf Size:345K _upd-mosfet

TMD5N50G
TMD5N50G

TMD5N50/TMU5N50 TMD5N50G/TMU5N50G Features VDSS = 550 V @Tjmax  Low gate charge ID = 4.5A  100% avalanche tested RDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Fast reverse recovery D I-PAK D-PAK G S Device Package Marking Remark TMD5N50/TMU5N50 D-PAK/I-PAK TMD5N50/TMU5N50 RoHS

3.1. tmd5n50.pdf Size:345K _upd-mosfet

TMD5N50G
TMD5N50G

TMD5N50/TMU5N50 TMD5N50G/TMU5N50G Features VDSS = 550 V @Tjmax  Low gate charge ID = 4.5A  100% avalanche tested RDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Fast reverse recovery D I-PAK D-PAK G S Device Package Marking Remark TMD5N50/TMU5N50 D-PAK/I-PAK TMD5N50/TMU5N50 RoHS

 5.1. tmd5n60az.pdf Size:457K _upd-mosfet

TMD5N50G
TMD5N50G

TMD5N60AZ(G)/TMU5N60AZ(G) N-channel MOSFET Features  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 600V 4.2A < 2.1W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD5N60AZ / TMU5N60AZ D-PAK/I-PAK TMD5N60AZ / TMU5N60AZ RoHS TMD5N

5.2. tmd5n40zg.pdf Size:617K _upd-mosfet

TMD5N50G
TMD5N50G

TMD5N40ZG/TMU5N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax  Low gate charge ID = 3.4A  100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V  Improved dv/dt capability  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD5N40ZG/TMU5N40ZG D-PAK/I-PAK TMD5N40ZG/TMU5N40ZG Halogen Free Abso

 5.3. tmd5n60z.pdf Size:461K _upd-mosfet

TMD5N50G
TMD5N50G

TMD5N60Z(G)/TMU5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX  Low gate charge 600V 4.2A <2.1W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD5N60Z / TMU5N60Z D-PAK/I-PAK TMD5N60Z / TMU5N60Z RoHS TMD5N60ZG / TMU5N60ZG D-PAK/I-PAK TMD5

Другие MOSFET... TMD3N80G , TMD3N90 , TMD4N60 , TMD4N60AZ , TMD4N65AZ , TMD4N65Z , TMD5N40ZG , TMD5N50 , BUZ11 , TMD5N60AZ , TMD5N60Z , AOD434 , TMD630Z , TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , TMD7N65AZ .

Back to Top

 


TMD5N50G
  TMD5N50G
  TMD5N50G
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: SSW4N60B | SSW2N60B | SSU2N60B | SSU1N60B | SSU1N45 | SSTSD203 | SSTSD201 | SST4416 | SST441 | SST440 | SST4393 | SST4392 | SST4391 | SST177 | SST176 |
 


 

 

Back to Top