TMP10N80
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TMP10N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 9.5
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 53
nC
trⓘ -
Время нарастания: 62
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 214
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05
Ohm
Тип корпуса:
TO-220
Аналог (замена) для TMP10N80
TMP10N80
Datasheet (PDF)
..1. Size:609K trinnotech
tmp10n80 tmpf10n80.pdf 
TMP10N80/TMPF10N80 TMP10N80G/TMPF10N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(ON) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N80 / TMPF10N80 TO-220 / TO-220F TMP10N80 / TMPF10N80 RoHS TMP10N
8.1. Size:609K trinnotech
tmp10n60a tmpf10n60a.pdf 
TMP10N60A(G)/TMPF10N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 10A
8.2. Size:335K trinnotech
tmp10n60 tmpf10n60.pdf 
TMP10N60/TMPF10N60TMP10N60G/TMPF10N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(on) = 0.75 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP10N60 / TMPF10N60 TO-220 / TO-220F TMP10N60 / TMPF10N60 RoHSTMP10N60G / TMPF10N60G
8.3. Size:577K trinnotech
tmp10n65 tmpf10n65.pdf 
TMP10N65/TMPF10N65 TMP10N65G/TMPF10N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 0.98 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N65 / TMPF10N65 TO-220 / TO-220F TMP10N65 / TMPF10N65 RoHS TMP10N
8.4. Size:607K trinnotech
tmp10n65a tmpf10n65a.pdf 
TMP10N65A(G)/TMPF10N65A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 9.5A
8.5. Size:340K cn wuxi unigroup
tma10n65h tmp10n65h.pdf 
TMA10N65H, TMP10N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA10N65H TO-220F A1
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.
