Справочник MOSFET. TMP10N80

 

TMP10N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMP10N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 290 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 53 nC
   Время нарастания (tr): 62 ns
   Выходная емкость (Cd): 214 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TMP10N80

 

 

TMP10N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  trinnotech
tmp10n80 tmpf10n80.pdf

TMP10N80 TMP10N80

TMP10N80/TMPF10N80 TMP10N80G/TMPF10N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(ON) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N80 / TMPF10N80 TO-220 / TO-220F TMP10N80 / TMPF10N80 RoHS TMP10N

 8.1. Size:609K  trinnotech
tmp10n60a tmpf10n60a.pdf

TMP10N80 TMP10N80

TMP10N60A(G)/TMPF10N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 10A

 8.2. Size:335K  trinnotech
tmp10n60 tmpf10n60.pdf

TMP10N80 TMP10N80

TMP10N60/TMPF10N60TMP10N60G/TMPF10N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(on) = 0.75 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP10N60 / TMPF10N60 TO-220 / TO-220F TMP10N60 / TMPF10N60 RoHSTMP10N60G / TMPF10N60G

 8.3. Size:577K  trinnotech
tmp10n65 tmpf10n65.pdf

TMP10N80 TMP10N80

TMP10N65/TMPF10N65 TMP10N65G/TMPF10N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 0.98 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N65 / TMPF10N65 TO-220 / TO-220F TMP10N65 / TMPF10N65 RoHS TMP10N

 8.4. Size:607K  trinnotech
tmp10n65a tmpf10n65a.pdf

TMP10N80 TMP10N80

TMP10N65A(G)/TMPF10N65A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 9.5A

 8.5. Size:340K  cn wuxi unigroup
tma10n65h tmp10n65h.pdf

TMP10N80 TMP10N80

TMA10N65H, TMP10N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA10N65H TO-220F A1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top