Справочник MOSFET. TMP8N25Z

 

TMP8N25Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP8N25Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TMP8N25Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP8N25Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  trinnotech
 tmp8n25z tmpf8n25z.pdf pdf_icon

TMP8N25Z

TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 9.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMP8N25Z

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 9.2. Size:605K  trinnotech
 tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

TMP8N25Z

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 9.3. Size:1284K  trinnotech
 tmp8n80 tmpf8n80.pdf pdf_icon

TMP8N25Z

TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMP6N70 , TMP7N60Z , TMP7N65AZ , TMP7N65Z , TMP7N90 , TMP830 , TMP830AZ , TMP830Z , IRF730 , TMP8N50Z , TMP8N60AZ , TMP8N80 , TMP9N50 , TMP9N50S , TMP9N60 , TMP9N70 , TMP9N90 .

History: TMU830 | HYG035N10NS2P | JCS630SA

 

 
Back to Top

 


 
.