Справочник MOSFET. TMP8N25Z

 

TMP8N25Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP8N25Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TMP8N25Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP8N25Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  trinnotech
 tmp8n25z tmpf8n25z.pdf pdf_icon

TMP8N25Z

TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 9.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMP8N25Z

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 9.2. Size:605K  trinnotech
 tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

TMP8N25Z

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 9.3. Size:1284K  trinnotech
 tmp8n80 tmpf8n80.pdf pdf_icon

TMP8N25Z

TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.