Справочник MOSFET. TMPF11N50

 

TMPF11N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMPF11N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF11N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  trinnotech
tmp11n50 tmpf11n50.pdfpdf_icon

TMPF11N50

TMP11N50/TMPF11N50TMP11N50G/TMPF11N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 11A Low gate chargeRDS(ON) = 0.67 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP11N50 / TMPF11N50 TO-220 / TO-220F TMP11N50 / TMPF11N50

 0.1. Size:340K  trinnotech
tmp11n50sg tmpf11n50sg.pdfpdf_icon

TMPF11N50

TMP11N50SG/TMPF11N50SGVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(ON) = 0.7 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP11N50SG / TMPF11N50SG TO-220 / TO-220F TMP11N50SG / TMPF11N50SG Halogen Fre

 9.1. Size:609K  trinnotech
tmp10n80 tmpf10n80.pdfpdf_icon

TMPF11N50

TMP10N80/TMPF10N80 TMP10N80G/TMPF10N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(ON) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N80 / TMPF10N80 TO-220 / TO-220F TMP10N80 / TMPF10N80 RoHS TMP10N

 9.2. Size:604K  trinnotech
tmp12n60a tmpf12n60a.pdfpdf_icon

TMPF11N50

TMP12N60A(G)/TMPF12N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 12A

Другие MOSFET... TMP9N60 , TMP9N70 , TMP9N90 , TMPF10N60 , TMPF10N60A , TMPF10N65 , TMPF10N65A , TMPF10N80 , AO4468 , TMPF11N50SG , TMPF12N60 , TMPF12N60A , TMPF13N50 , TMPF13N50A , TMPF15N50 , TMPF16N25Z , TMPF16N60 .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.