Справочник MOSFET. TMPF18N20Z

 

TMPF18N20Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMPF18N20Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для TMPF18N20Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF18N20Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  trinnotech
tmp18n20z tmpf18n20z.pdfpdf_icon

TMPF18N20Z

TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A

 9.1. Size:609K  trinnotech
tmp10n80 tmpf10n80.pdfpdf_icon

TMPF18N20Z

TMP10N80/TMPF10N80 TMP10N80G/TMPF10N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(ON) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N80 / TMPF10N80 TO-220 / TO-220F TMP10N80 / TMPF10N80 RoHS TMP10N

 9.2. Size:604K  trinnotech
tmp12n60a tmpf12n60a.pdfpdf_icon

TMPF18N20Z

TMP12N60A(G)/TMPF12N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 12A

 9.3. Size:625K  trinnotech
tmp16n25z tmpf16n25z.pdfpdf_icon

TMPF18N20Z

TMP16N25Z(G)/TMPF16N25Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 250V 16A

Другие MOSFET... TMPF12N60 , TMPF12N60A , TMPF13N50 , TMPF13N50A , TMPF15N50 , TMPF16N25Z , TMPF16N60 , TMPF16N60A , IRF840 , TMPF20N50 , TMPF20N50A , TMPF2N60AZ , TMPF2N60Z , TMPF2N65AZ , TMPF3N50AZ , TMPF3N50Z , TMPF3N80 .

 

 
Back to Top

 


 
.