TMPF18N20Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMPF18N20Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMPF18N20Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF18N20Z даташит

 ..1. Size:591K  trinnotech
tmp18n20z tmpf18n20z.pdfpdf_icon

TMPF18N20Z

TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A

 9.1. Size:609K  trinnotech
tmp10n80 tmpf10n80.pdfpdf_icon

TMPF18N20Z

TMP10N80/TMPF10N80 TMP10N80G/TMPF10N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(ON) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N80 / TMPF10N80 TO-220 / TO-220F TMP10N80 / TMPF10N80 RoHS TMP10N

 9.2. Size:604K  trinnotech
tmp12n60a tmpf12n60a.pdfpdf_icon

TMPF18N20Z

TMP12N60A(G)/TMPF12N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 12A

 9.3. Size:625K  trinnotech
tmp16n25z tmpf16n25z.pdfpdf_icon

TMPF18N20Z

TMP16N25Z(G)/TMPF16N25Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 250V 16A

Другие IGBT... TMPF12N60, TMPF12N60A, TMPF13N50, TMPF13N50A, TMPF15N50, TMPF16N25Z, TMPF16N60, TMPF16N60A, IRF840, TMPF20N50, TMPF20N50A, TMPF2N60AZ, TMPF2N60Z, TMPF2N65AZ, TMPF3N50AZ, TMPF3N50Z, TMPF3N80