TMPF2N60Z - аналоги и даташиты транзистора

 

TMPF2N60Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TMPF2N60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для TMPF2N60Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF2N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  trinnotech
 tmp2n60z tmpf2n60z.pdf pdf_icon

TMPF2N60Z

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 6.1. Size:609K  trinnotech
 tmp2n60az tmpf2n60az.pdf pdf_icon

TMPF2N60Z

TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 7.1. Size:604K  trinnotech
 tmp2n65az tmpf2n65az.pdf pdf_icon

TMPF2N60Z

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

 9.1. Size:409K  trinnotech
 tmp20n50 tmpf20n50.pdf pdf_icon

TMPF2N60Z

TMP20N50/TMPF20N50 TMP20N50G/TMPF20N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 18A Low gate charge RDS(on) = 0.3 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP20N50 / TMPF20N50 TO-220 / TO-220F TMP20N50 / TMPF20N50 RoHS TMP20N50

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMPF15N50 , TMPF16N25Z , TMPF16N60 , TMPF16N60A , TMPF18N20Z , TMPF20N50 , TMPF20N50A , TMPF2N60AZ , 50N06 , TMPF2N65AZ , TMPF3N50AZ , TMPF3N50Z , TMPF3N80 , TMPF3N90 , TMPF4N60 , TMPF4N60AZ , TMPF4N65 .

History: FDS6670AS

 

 
Back to Top

 


 
.