IRFU4105 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFU4105  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFU4105

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU4105 даташит

 ..1. Size:239K  international rectifier
 irfr4105pbf irfu4105pbf.pdf pdf_icon

IRFU4105

PD - 95550A IRFR4105PbF IRFU4105PbF l Ultra Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET l Surface Mount (IRFR4105) l Straight Lead (IRFU4105) D VDSS = 55V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free RDS(on) = 0.045 G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier ID = 27A S utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-r

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 irfu4105.pdf pdf_icon

IRFU4105

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU4105 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 45m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 55 V DSS V Gate-Source Volt

 0.1. Size:330K  international rectifier
 irfr4105zpbf irfu4105zpbf.pdf pdf_icon

IRFU4105

PD - 95374B IRFR4105ZPbF IRFU4105ZPbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 24.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G Lead-Free ID = 30A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-re

 0.2. Size:720K  infineon
 auirfr4105z auirfu4105z.pdf pdf_icon

IRFU4105

AUIRFR4105Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU4105Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 24.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID 30A Automotive Qualified * D D Description Specifically designed

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFU230A, IRFU310, IRFU310A, IRFU320, IRFU320A, IRFU3303, IRFU3910, IRFU410, AO4407, IRFU411, IRFU420, IRFU420A, IRFU5305, IRFU5410, IRFU5505, IRFU6215, IRFU9010