TMPF7N60Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMPF7N60Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMPF7N60Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF7N60Z даташит

 ..1. Size:611K  trinnotech
 tmp7n60z tmpf7n60z.pdf pdf_icon

TMPF7N60Z

TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A

 7.1. Size:615K  trinnotech
 tmp7n65az tmpf7n65az.pdf pdf_icon

TMPF7N60Z

TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 7.2. Size:616K  trinnotech
 tmp7n65z tmpf7n65z.pdf pdf_icon

TMPF7N60Z

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

 8.1. Size:440K  trinnotech
 tmp7n90 tmpf7n90.pdf pdf_icon

TMPF7N60Z

TMP7N90/TMPF7N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7A Low gate charge RDS(ON) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP7N90 TO-220 TMP7N90 RoHS TMPF7N90G TO-220F TMPF7N90G Halogen Free Absolute Maximum Ratings

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMPF4N90, TMPF5N50, TMPF5N50SG, TMPF5N60AZ, TMPF5N60Z, TMPF630Z, TMPF6N65, TMPF6N70, IRF630, TMPF7N65AZ, TMPF7N65Z, TMPF7N90, TMPF830, TMPF830AZ, TMPF830Z, TMPF8N25Z, TMPF8N50Z