Справочник MOSFET. TMPF7N60Z

 

TMPF7N60Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMPF7N60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для TMPF7N60Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF7N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  trinnotech
 tmp7n60z tmpf7n60z.pdf pdf_icon

TMPF7N60Z

TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A

 7.1. Size:615K  trinnotech
 tmp7n65az tmpf7n65az.pdf pdf_icon

TMPF7N60Z

TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 7.2. Size:616K  trinnotech
 tmp7n65z tmpf7n65z.pdf pdf_icon

TMPF7N60Z

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

 8.1. Size:440K  trinnotech
 tmp7n90 tmpf7n90.pdf pdf_icon

TMPF7N60Z

TMP7N90/TMPF7N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7A Low gate charge RDS(ON) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP7N90 TO-220 TMP7N90 RoHS TMPF7N90G TO-220F TMPF7N90G Halogen Free Absolute Maximum Ratings

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMPF4N90 , TMPF5N50 , TMPF5N50SG , TMPF5N60AZ , TMPF5N60Z , TMPF630Z , TMPF6N65 , TMPF6N70 , 7N65 , TMPF7N65AZ , TMPF7N65Z , TMPF7N90 , TMPF830 , TMPF830AZ , TMPF830Z , TMPF8N25Z , TMPF8N50Z .

History: HY3408AP | NCEP60ND30AG | SE120120G | SE100150G | SML20J97F | NTD110N02RG | STP36NF06FP

 

 
Back to Top

 


 
.