TMU2N65AZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMU2N65AZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMU2N65AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU2N65AZ даташит

 ..1. Size:449K  trinnotech
 tmd2n65az tmu2n65az.pdf pdf_icon

TMU2N65AZ

TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

 8.1. Size:474K  trinnotech
 tmd2n60z tmu2n60z.pdf pdf_icon

TMU2N65AZ

TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 8.2. Size:455K  trinnotech
 tmd2n60az tmu2n60az.pdf pdf_icon

TMU2N65AZ

TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 8.3. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMU2N65AZ

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMT2N60ZG, TMT3N30G, TMT3N40ZG, TMU16N25Z, TMU18N20Z, TMU2N40, TMU2N60AZ, TMU2N60Z, NCEP15T14, TMU3N40ZG, TMU3N50AZ, TMU3N50Z, TMU3N80G, TMU3N90, TMU4N60, TMU4N60AZ, TMU4N65AZ