Справочник MOSFET. TMU3N50AZ

 

TMU3N50AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU3N50AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU3N50AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  trinnotech
tmd3n50az tmu3n50az.pdfpdf_icon

TMU3N50AZ

TMD3N50AZ(G)/TMU3N50AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 7.1. Size:467K  trinnotech
tmd3n50z tmu3n50z.pdfpdf_icon

TMU3N50AZ

TMD3N50Z(G)/TMU3N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 9.1. Size:334K  trinnotech
tmd3n80g tmu3n80g.pdfpdf_icon

TMU3N50AZ

TMD3N80G/TMU3N80GFeaturesVDSS = 880 V @Tjmax Low gate chargeID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAK DI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD3N80G/TMU3N80G D-PAK/I-PAK TMD3N80G/TMU3N80G Halogen FreeAbsolute Maximum Ratings Parameter

 9.2. Size:829K  trinnotech
tmd3n90 tmu3n90.pdfpdf_icon

TMU3N50AZ

TMD3N90(G)/TMU3N90(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: H04N65E | RDX060N60FU6 | HYG060P04LQ1D | CRTD063N04L | IRF3707SPBF | IRFB41N15DPBF | NVB6410AN

 

 
Back to Top

 


 
.