TMU3N50AZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMU3N50AZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMU3N50AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU3N50AZ даташит

 ..1. Size:454K  trinnotech
 tmd3n50az tmu3n50az.pdf pdf_icon

TMU3N50AZ

TMD3N50AZ(G)/TMU3N50AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 7.1. Size:467K  trinnotech
 tmd3n50z tmu3n50z.pdf pdf_icon

TMU3N50AZ

TMD3N50Z(G)/TMU3N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 9.1. Size:334K  trinnotech
 tmd3n80g tmu3n80g.pdf pdf_icon

TMU3N50AZ

TMD3N80G/TMU3N80G Features VDSS = 880 V @Tjmax Low gate charge ID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD3N80G/TMU3N80G D-PAK/I-PAK TMD3N80G/TMU3N80G Halogen Free Absolute Maximum Ratings Parameter

 9.2. Size:829K  trinnotech
 tmd3n90 tmu3n90.pdf pdf_icon

TMU3N50AZ

TMD3N90(G)/TMU3N90(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMT3N40ZG, TMU16N25Z, TMU18N20Z, TMU2N40, TMU2N60AZ, TMU2N60Z, TMU2N65AZ, TMU3N40ZG, STP80NF70, TMU3N50Z, TMU3N80G, TMU3N90, TMU4N60, TMU4N60AZ, TMU4N65AZ, TMU4N65Z, TMU5N40ZG