Справочник MOSFET. TMU4N65Z

 

TMU4N65Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU4N65Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для TMU4N65Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU4N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:475K  trinnotech
 tmd4n65z tmu4n65z.pdf pdf_icon

TMU4N65Z

TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 7.1. Size:453K  trinnotech
 tmd4n65az tmu4n65az.pdf pdf_icon

TMU4N65Z

TMD4N65AZ(G)/TMU4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 8.1. Size:317K  trinnotech
 tmd4n60 tmu4n60.pdf pdf_icon

TMU4N65Z

TMD4N60/TMU4N60TMD4N60G/TMU4N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 4A Low gate chargeRDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAKDI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD4N60/TMU4N60 D-PAK/I-PAK TMD4N60/TMU4N60 RoHSTMD4N60G/TMU4N60G D-PAK/I-PAK

 8.2. Size:464K  trinnotech
 tmd4n60az tmu4n60az.pdf pdf_icon

TMU4N65Z

TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMU3N40ZG , TMU3N50AZ , TMU3N50Z , TMU3N80G , TMU3N90 , TMU4N60 , TMU4N60AZ , TMU4N65AZ , P0903BDG , TMU5N40ZG , TMU5N50 , TMU5N50G , TMU5N60AZ , TMU5N60Z , TMU630Z , TMU6N65G , TMU7N60Z .

History: 15N65G-TC3-T | AOSP66925 | 12N70KL-TQ2-R | 11NM70L-TF3-T | APM4015K | STP6N60M2 | AOT2502L

 

 
Back to Top

 


 
.