Справочник MOSFET. TMU5N50G

 

TMU5N50G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TMU5N50G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 92.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 32 ns

Выходная емкость (Cd): 61 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.65 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для TMU5N50G

 

 

TMU5N50G Datasheet (PDF)

1.1. tmu5n50 tmu5n50g.pdf Size:345K _update

TMU5N50G
TMU5N50G

TMD5N50/TMU5N50 TMD5N50G/TMU5N50G Features VDSS = 550 V @Tjmax  Low gate charge ID = 4.5A  100% avalanche tested RDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Fast reverse recovery D I-PAK D-PAK G S Device Package Marking Remark TMD5N50/TMU5N50 D-PAK/I-PAK TMD5N50/TMU5N50 RoHS

5.1. tmu5n40zg.pdf Size:617K _update

TMU5N50G
TMU5N50G

TMD5N40ZG/TMU5N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax  Low gate charge ID = 3.4A  100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V  Improved dv/dt capability  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD5N40ZG/TMU5N40ZG D-PAK/I-PAK TMD5N40ZG/TMU5N40ZG Halogen Free Abso

5.2. tmu5n60az.pdf Size:457K _update

TMU5N50G
TMU5N50G

TMD5N60AZ(G)/TMU5N60AZ(G) N-channel MOSFET Features  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 600V 4.2A < 2.1W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD5N60AZ / TMU5N60AZ D-PAK/I-PAK TMD5N60AZ / TMU5N60AZ RoHS TMD5N

 5.3. tmu5n60z.pdf Size:461K _update

TMU5N50G
TMU5N50G

TMD5N60Z(G)/TMU5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX  Low gate charge 600V 4.2A <2.1W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD5N60Z / TMU5N60Z D-PAK/I-PAK TMD5N60Z / TMU5N60Z RoHS TMD5N60ZG / TMU5N60ZG D-PAK/I-PAK TMD5

Другие MOSFET... TMU3N80G , TMU3N90 , TMU4N60 , TMU4N60AZ , TMU4N65AZ , TMU4N65Z , TMU5N40ZG , TMU5N50 , IRF5210 , TMU5N60AZ , TMU5N60Z , TMU630Z , TMU6N65G , TMU7N60Z , TMU7N65AZ , TMU7N65Z , TMU830 .

Back to Top

 


TMU5N50G
  TMU5N50G
  TMU5N50G
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: SIHF22N60S | SIHF22N60E | SIHF18N50D | SIHF18N50C | SIHF16N50C | SIHF15N65E | SIHF15N60E | SIHF12N65E | SIHF12N60E | SIHF12N50C | SIHF10N40D | SIHD7N60E | SIHD6N65E | SIHD6N62E | SIHD5N50D |
 


 

 

Back to Top