TMU830 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMU830
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: I-PAK
Аналог (замена) для TMU830
TMU830 Datasheet (PDF)
tmd830 tmu830.pdf
TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A
tmd830az tmu830az.pdf
TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A
tmd830z tmu830z.pdf
TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A
Другие MOSFET... TMU5N50G , TMU5N60AZ , TMU5N60Z , TMU630Z , TMU6N65G , TMU7N60Z , TMU7N65AZ , TMU7N65Z , IRF2807 , TMU830AZ , TMU830Z , TMU8N25Z , TMU8N50Z , TMU8N60AZ , IRF1405ZL-7PPBF , IRF1405ZLPBF , IRF1405ZPBF .
History: RU30D10H | SVF10N65CFJ | DMN15H310SE | TMU7N65AZ | UPA2714GR | TMU6N65G | IPP051N15N5
History: RU30D10H | SVF10N65CFJ | DMN15H310SE | TMU7N65AZ | UPA2714GR | TMU6N65G | IPP051N15N5
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362