Справочник MOSFET. TMU830

 

TMU830 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для TMU830

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  trinnotech
 tmd830 tmu830.pdf pdf_icon

TMU830

TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A

 0.1. Size:451K  trinnotech
 tmd830az tmu830az.pdf pdf_icon

TMU830

TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 0.2. Size:465K  trinnotech
 tmd830z tmu830z.pdf pdf_icon

TMU830

TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

Другие MOSFET... TMU5N50G , TMU5N60AZ , TMU5N60Z , TMU630Z , TMU6N65G , TMU7N60Z , TMU7N65AZ , TMU7N65Z , IRF2807 , TMU830AZ , TMU830Z , TMU8N25Z , TMU8N50Z , TMU8N60AZ , IRF1405ZL-7PPBF , IRF1405ZLPBF , IRF1405ZPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.