TMU830. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMU830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для TMU830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU830 даташит

 ..1. Size:468K  trinnotech
 tmd830 tmu830.pdf pdf_icon

TMU830

TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A

 0.1. Size:451K  trinnotech
 tmd830az tmu830az.pdf pdf_icon

TMU830

TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 0.2. Size:465K  trinnotech
 tmd830z tmu830z.pdf pdf_icon

TMU830

TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

Другие IGBT... TMU5N50G, TMU5N60AZ, TMU5N60Z, TMU630Z, TMU6N65G, TMU7N60Z, TMU7N65AZ, TMU7N65Z, STF13NM60N, TMU830AZ, TMU830Z, TMU8N25Z, TMU8N50Z, TMU8N60AZ, IRF1405ZL-7PPBF, IRF1405ZLPBF, IRF1405ZPBF