IRF1405ZSPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF1405ZSPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для IRF1405ZSPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF1405ZSPBF даташит
irf1405zlpbf irf1405zpbf irf1405zspbf.pdf
PD - 97018A IRF1405ZPbF IRF1405ZSPbF IRF1405ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 4.9m l Lead-Free G ID = 75A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve ex
irf1405zpbf irf1405zspbf irf1405zlpbf.pdf
PD - 97018A IRF1405ZPbF IRF1405ZSPbF IRF1405ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 4.9m l Lead-Free G ID = 75A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve ex
auirf1405zstrl.pdf
PD - 97486A AUIRF1405ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1405ZL Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D V(BR)DSS 55V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) max. 4.9m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 150A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * D D Description Specifically designed for
irf1405zl-7ppbf irf1405zs-7ppbf.pdf
PD - 97206B IRF1405ZS-7PPbF IRF1405ZL-7PPbF HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Process Technology D VDSS = 55V l Ultra Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 4.9m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free S ID = 120A S (Pin 2, 3, 5, 6, 7) G (Pin 1) Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest pro
Другие IGBT... TMU830Z, TMU8N25Z, TMU8N50Z, TMU8N60AZ, IRF1405ZL-7PPBF, IRF1405ZLPBF, IRF1405ZPBF, IRF1405ZS-7PPBF, 7N60, IRF1407PBF, IRF140SMD, FMP03N60E, FMP05N50E, FMP05N60E, FMP06N60E, FMP06N60ES, FMP07N50E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360






