FMP05N60E - аналоги и даташиты транзистора

 

FMP05N60E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMP05N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для FMP05N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP05N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  fuji
 fmp05n60e.pdf pdf_icon

FMP05N60E

FMP05N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

 8.1. Size:424K  fuji
 fmp05n50e.pdf pdf_icon

FMP05N60E

FMP05N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Другие MOSFET... IRF1405ZLPBF , IRF1405ZPBF , IRF1405ZS-7PPBF , IRF1405ZSPBF , IRF1407PBF , IRF140SMD , FMP03N60E , FMP05N50E , MMD60R360PRH , FMP06N60E , FMP06N60ES , FMP07N50E , FMP08N50E , FMP10N60E , FMP11N60E , FMP12N50E , FMP12N50ES .

History: AP9987GM | ZVN4424ASTOB | FMP06N60E | MTD5P06VT4G | AP9992GI-HF | FMP03N60E | FQB27N25TMAM002

 

 
Back to Top

 


 
.