FMP12N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FMP12N50E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для FMP12N50E
FMP12N50E Datasheet (PDF)
fmp12n50e.pdf

FMP12N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)
fmp12n50es.pdf

FMP12N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.70.5V
fmp12n60es.pdf

FMP12N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220ABLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5V
Другие MOSFET... FMP05N50E , FMP05N60E , FMP06N60E , FMP06N60ES , FMP07N50E , FMP08N50E , FMP10N60E , FMP11N60E , HY1906P , FMP12N50ES , FMP12N60ES , FMP13N60E , FMP13N60ES , FMP16N50E , FMP16N50ES , FMP16N60E , FMP16N60ES .
History: FDU6N50F | IRFS742 | MDD4N20YRH | FDU6676AS | SIB800EDK | CJPF05N65 | PA110BC
History: FDU6N50F | IRFS742 | MDD4N20YRH | FDU6676AS | SIB800EDK | CJPF05N65 | PA110BC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60