FMR28N50ES - аналоги и даташиты транзистора

 

FMR28N50ES - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMR28N50ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для FMR28N50ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMR28N50ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:549K  fuji
 fmr28n50es.pdf pdf_icon

FMR28N50ES

FMR28N50ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3PFLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.20.5V)

 5.1. Size:525K  fuji
 fmr28n50e.pdf pdf_icon

FMR28N50ES

FMR28N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-3PFLower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)H

Другие MOSFET... FMR17N60ES , FMR19N60E , FMR19N60ES , FMR21N50ES , FMR23N50ES , FMR23N60E , FMR23N60ES , FMR28N50E , P55NF06 , FMV03N60E , FMV05N50E , FMV05N60E , FMV06N60E , FMV06N60ES , FMV06N90E , FMV07N50E , FMV08N50E .

History: MDF2N60BTH | MDF4N60BTH | MDF3752TH | IXFP7N100P | MDF18N50BTH | TMP5N60AZ | IRF712

 

 
Back to Top

 


 
.