FMV19N60ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMV19N60ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.365 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FMV19N60ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV19N60ES даташит

 ..1. Size:509K  fuji
 fmv19n60es.pdf pdf_icon

FMV19N60ES

FMV19N60ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2

 5.1. Size:466K  fuji
 fmv19n60e.pdf pdf_icon

FMV19N60ES

FMV19N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.

Другие IGBT... FMV13N60E, FMV13N60ES, FMV16N50E, FMV16N50ES, FMV16N60E, FMV16N60ES, FMV17N60ES, FMV19N60E, 13N50, FMV20N50E, FMV20N50ES, FMV20N60S1, FMV21N50ES, FMV23N50ES, FMV24N25G, FMV30N60S1, FMW20N60S1HF