Справочник MOSFET. FMV19N60ES

 

FMV19N60ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMV19N60ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.365 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FMV19N60ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV19N60ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  fuji
 fmv19n60es.pdf pdf_icon

FMV19N60ES

FMV19N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.2

 5.1. Size:466K  fuji
 fmv19n60e.pdf pdf_icon

FMV19N60ES

FMV19N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.

Другие MOSFET... FMV13N60E , FMV13N60ES , FMV16N50E , FMV16N50ES , FMV16N60E , FMV16N60ES , FMV17N60ES , FMV19N60E , TK10A60D , FMV20N50E , FMV20N50ES , FMV20N60S1 , FMV21N50ES , FMV23N50ES , FMV24N25G , FMV30N60S1 , FMW20N60S1HF .

History: LSG80R2K8GT | GP1M008A050XX | QM2416J | SM2204NSQG | AP15N03GJ-HF | IPB037N06N3G | UPA2792GR

 

 
Back to Top

 


 
.