IRFU9024 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFU9024
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19(max) nC
trⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO251
IRFU9024 Datasheet (PDF)
irfr9024pbf irfu9024pbf.pdf
PD- 95732AIRFR9024PbFIRFU9024PbF Lead-Free1/10/05Document Number: 91278 www.vishay.com1IRFR/U9024PbFDocument Number: 91278 www.vishay.com2IRFR/U9024PbFDocument Number: 91278 www.vishay.com3IRFR/U9024PbFDocument Number: 91278 www.vishay.com4IRFR/U9024PbFDocument Number: 91278 www.vishay.com5IRFR/U9024PbFDocument Number: 91278 www.vishay.com6IR
irfr9024 irfu9024 sihfr9024 sihfu9024.pdf
IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRFR9024/SiHFR9024)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 Straight Lead (IRFU9024/SiHFU9024)Qgs (nC) 5.4 Available in Tape and ReelQgd (nC) 11 P
irfu9024pbf sihfr9024 sihfu9024.pdf
IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRFR9024, SiHFR9024)Qg (Max.) (nC) 19 Straight Lead (IRFU9024, SiHFU9024)Qgs (nC) 5.4 Available in Tape and ReelQgd (nC) 11 P-ChannelC
irfr9024ncpbf irfu9024ncpbf.pdf
PD - 96048IRFR9024NCPbFIRFU9024NCPbF(IRFR9024NCPbF)(IRFU9024NCPbF) Lead-Freewww.irf.com 105/31/06IRFR/U9024NCPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NCPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NCPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductanc
irfr9024npbf irfu9024npbf.pdf
PD - 95015AIRFR9024NPbFIRFU9024NPbF Lead-Freewww.irf.com 112/14/04IRFR/U9024NPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage In
irfr9024npbf irfu9024npbf.pdf
PD - 95015AIRFR9024NPbFIRFU9024NPbF Lead-Freewww.irf.com 112/14/04IRFR/U9024NPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage In
auirfr9024n auirfu9024n.pdf
AUIRFR9024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU9024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology VDSS -55V Low On-Resistance P-Channel RDS(on) max. 0.175 Dynamic dv/dt Rating ID -11A 150C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D D Lead-Free, RoHS Complian
irfu9024n.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor IRFU9024NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)175m(@V = -10V; I = -6.6A)GS DAdvanced trench process technology100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFast switching application.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918