Справочник MOSFET. FP11W60C3

 

FP11W60C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FP11W60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: ITO-3P
 

 Аналог (замена) для FP11W60C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FP11W60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  shindengen
 fp11w60c3.pdf pdf_icon

FP11W60C3

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 3akgIO-PF 1W6CP 1 0 3 6 0 10 V1A 0000 11W60C3F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgsltdP cae

Другие MOSFET... FMW20N60S1HF , FMW30N60S1HF , FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , FP10W50C , FP10W50VX2 , FP10W90 , FP10W90HVX2 , 10N65 , FP20W50VX2 , FP20W60C3 , FP3W90 , FP5W90HVX2 , FP7W90HVX2 , FP8V50 , FQA10N60C , FQA10N80 .

History: CM8N65F | APQ50SN06AH | IXTT75N10L2 | HFD2N60S | SIHFB9N65A | OSG60R380PF | QM2608N8

 

 
Back to Top

 


 
.