FP11W60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FP11W60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: ITO-3P

Аналог (замена) для FP11W60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FP11W60C3 даташит

 ..1. Size:154K  shindengen
 fp11w60c3.pdf pdf_icon

FP11W60C3

P we MOS E o r F T O T IE U LN Untmm i P cae T 3 akg IO-P F 1W6C P 1 0 3 6 0 1 0 V1A 0000 11W60C3 F aue etr L wR o ON FsS t at wihn cig Ioae akg sltdP cae

Другие IGBT... FMW20N60S1HF, FMW30N60S1HF, FMW47N60S1HF, FMW79N60S1HF, FP10W50C, FP10W50VX2, FP10W90, FP10W90HVX2, 4N60, FP20W50VX2, FP20W60C3, FP3W90, FP5W90HVX2, FP7W90HVX2, FP8V50, FQA10N60C, FQA10N80