IRFU9111 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFU9111
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19(max) nC
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO251
IRFU9111 Datasheet (PDF)
irfr9110pbf irfu9110pbf.pdf
PD - 95324AIRFR9110PbFIRFU9110PbF Lead-Free12/14/04Document Number: 91279 www.vishay.com1IRFR/U9110PbFDocument Number: 91279 www.vishay.com2IRFR/U9110PbFDocument Number: 91279 www.vishay.com3IRFR/U9110PbFDocument Number: 91279 www.vishay.com4IRFR/U9110PbFDocument Number: 91279 www.vishay.com5IRFR/U9110PbFDocument Number: 91279 www.vishay.com6
irfr9110 irfu9110 sihfr9110 sihfu9110.pdf
IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100 Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 8.7 Surface Mount (IRFR9110, SiHFR9110)Qgs (nC) 2.2 Straight Lead (IRFU9110, SiHFU9110) Available in Tape
irfr9110pbf irfu9110pbf sihfr9110 sihfu9110.pdf
IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2 Surface Mount (IRFR9110, SiHFR9110)Qg (Max.) (nC) 8.7 Straight Lead (IRFU9110, SiHFU9110)Qgs (nC) 2.2 Available in Tape and ReelQgd (nC) 4.1 P-Channel
irfr9110 irfu9110 sihfr9110 sihfu9110 2.pdf
IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2RoHS* Surface Mount (IRFR9110/SiHFR9110)COMPLIANTQg (Max.) (nC) 8.7 Straight Lead (IRFU9110/SiHFU9110)Qgs (nC) 2.2 Available in Tape and ReelQgd (nC) 4.1
irfu9110pbf.pdf
IRFU9110PBFwww.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.215 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET- 100 110.234 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Switch DC/DC Co
Другие MOSFET... IRFU9012 , IRFU9014 , IRFU9015 , IRFU9020 , IRFU9022 , IRFU9024 , IRFU9024N , IRFU9110 , IRFP460 , IRFU9120 , IRFU9120N , IRFU9121 , IRFU9210 , IRFU9212 , IRFU9214 , IRFU9220 , IRFU9222 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918