Справочник MOSFET. FQA19N20L

 

FQA19N20L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQA19N20L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 27 nC

Время нарастания (tr): 300 ns

Выходная емкость (Cd): 220 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FQA19N20L

 

 

FQA19N20L Datasheet (PDF)

1.1. fqa19n20l.pdf Size:731K _upd-mosfet

FQA19N20L FQA19N20L

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V LOGIC N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 25A, 200V, RDS(on) = 0.14Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 27 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has b

2.1. fqa19n20c.pdf Size:868K _fairchild_semi

FQA19N20L FQA19N20L

® QFET FQA19N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 21.8A, 200V, RDS(on) = 0.17Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 40.5 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially tailored to •

 4.1. fqa19n60.pdf Size:583K _fairchild_semi

FQA19N20L FQA19N20L

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA19N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 18.5A, 600V, RDS(on) = 0.38 ? @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 70 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been especially

Другие MOSFET... FQA13N50 , FQA13N50C , FQA13N80 , FQA14N30 , FQA16N25C , FQA16N50 , FQA17N40 , FQA17P10 , IRF9540N , FQA20N40 , FQA22P10 , FQA24N50_F109 , FQA24N50F , FQA28N15_F109 , FQA28N50_F109 , FQA28N50F , FQA33N10 .

Back to Top