FQA6N90 - аналоги и даташиты транзистора

 

FQA6N90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQA6N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FQA6N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA6N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:726K  fairchild semi
 fqa6n90.pdf pdf_icon

FQA6N90

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 900V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.4A, 900V, RDS(on) = 1.9 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF)This advanced technology has been es

 0.1. Size:797K  fairchild semi
 fqa6n90c f109.pdf pdf_icon

FQA6N90

September 2007 QFETFQA6N90C_F109900V N-Channel MOSFETFeatures Description 6A, 900V, RDS(on) = 2.3 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 30 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11pF)This advanced technology has been especially tailored t

 0.2. Size:1730K  onsemi
 fqa6n90c-f109.pdf pdf_icon

FQA6N90

FQA6N90C-F109 N-Channel QFET MOSFETDescription900 V, 6 A, 2.3 This N-Channel enhancement mode power MOSFET is Featuresproduced using ON Semiconductors proprietary planar 6 A, 900 V, RDS(on) = 2.3 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 3 Astripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state Low Gate Charge (Typ. 3

 9.1. Size:564K  fairchild semi
 fqa6n70.pdf pdf_icon

FQA6N90

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA6N70700V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.4A, 700V, RDS(on) = 1.5 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15 pF)This advanced technology is espe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQA46N15F109 , FQA47P06 , FQA48N20 , FQA55N10 , FQA5N90 , FQA65N06 , FQA6N70 , FQA6N80 , IRF540 , FQA7N60 , FQA7N80 , FQA7N80C , FQA7N90 , FQA7N90M , FQA85N06 , FQA8N90C , FQA90N10V2 .

 

 
Back to Top

 


 
.