Справочник MOSFET. FQB16N15TM

 

FQB16N15TM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQB16N15TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK

 Аналог (замена) для FQB16N15TM

 

 

FQB16N15TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:737K  fairchild semi
fqb16n15tm.pdf

FQB16N15TM
FQB16N15TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB16N15 / FQI16N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 16.4A, 150V, RDS(on) = 0.16 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 23 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technolo

 8.1. Size:740K  fairchild semi
fqb16n25tm.pdf

FQB16N15TM
FQB16N15TM

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB16N25 / FQI16N25250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 16A, 250V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology h

 8.2. Size:761K  fairchild semi
fqb16n25ctm fqi16n25ctu.pdf

FQB16N15TM
FQB16N15TM

June 2006 QFETFQB16N25C/FQI16N25C250V N-Channel MOSFETFeatures Description 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 41nC)stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low Crss ( typica

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top