FQB16N15TM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FQB16N15TM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
Аналог (замена) для FQB16N15TM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FQB16N15TM даташит
fqb16n15tm.pdf
April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB16N15 / FQI16N15 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 16.4A, 150V, RDS(on) = 0.16 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 23 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technolo
fqb16n25tm.pdf
May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB16N25 / FQI16N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 16A, 250V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF) This advanced technology h
fqb16n25ctm fqi16n25ctu.pdf
June 2006 QFET FQB16N25C/FQI16N25C 250V N-Channel MOSFET Features Description 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 41nC) stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low Crss ( typica
Другие IGBT... FQB13N06LTM, FQB13N06TM, FQB13N10LTM, FQB13N10, FQB13N50CTM, FQB14N15, FQB14N30TM, FQB15P12TM, IRF2807, FQB16N25CTM, FQB16N25TM, FQB17N08LTM, FQB17N08TM, FQB17P06TM, FQB17P10TM, FQB19N10LTM, FQB19N10TM
History: BLM14N08-D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899



