Справочник MOSFET. FQB2N50TM

 

FQB2N50TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB2N50TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.3 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB2N50TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:720K  fairchild semi
 fqb2n50tm.pdf pdf_icon

FQB2N50TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2N50 / FQI2N50500V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.1A, 500V, RDS(on) = 5.3 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.0 pF)This advanced technolog

 9.1. Size:579K  fairchild semi
 fqb2n60tm.pdf pdf_icon

FQB2N50TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2N60 / FQI2N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.4A, 600V, RDS(on) = 4.7 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 9.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF)This advanced technology

 9.2. Size:754K  fairchild semi
 fqb2n90tm fqi2n90tu.pdf pdf_icon

FQB2N50TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2N90 / FQI2N90900V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.2A, 900V, RDS(on) = 7.2 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.5 pF)This advanced technolo

 9.3. Size:705K  fairchild semi
 fqb2na90tm fqi2na90tu.pdf pdf_icon

FQB2N50TM

September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2NA90 / FQI2NA90900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.8A, 900V, RDS(on) = 5.8 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced tech

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQAF47P06

 

 
Back to Top

 


 
.